南亚科技申请具有晶体管及电阻的半导体元件结构及其制造方法专利，该晶体管设置在该多个隔离结构的其中一对之间，且该电阻设置在该多个隔离结构的另一对之间
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2026-03-14 23:20:32
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有晶体管及电阻的半导体元件结构及其制造方法”的专利，公开号CN121666104A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请公开一种具有晶体管及电阻的半导体元件结构及其制造方法。此半导体元件结构包括：一基板；一晶体管及一电阻，设置在该基板中；多个隔离结构，设置在该基板中；一介电层，设置在该基板之上；以及一互连结构，设置在该晶体管及该电阻之上并且电性连接到该晶体管及该电阻。该晶体管设置在该多个隔离结构的其中一对之间，且该电阻设置在该多个隔离结构的另一对之间。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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