南亚科技申请垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置专利，减少存储器单元中的浮体效应
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2026-03-14 16:53:11
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“垂直鳍式栅极晶体管和存储器装置”的专利，公开号CN121665555A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式栅极晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线以及位于位元线上的半导体基板。字元线包括多个鳍式字元线和连接鳍式字元线的共同字元线，其中鳍式字元线部分覆盖半导体基板的第一侧壁。存储器单元还包括物理性接触半导体基板的第二侧壁的主体线以及包覆主体线的绝缘层，其中第二侧壁相对于半导体基板的第一侧壁。主体线接地以将累积电荷引导出半导体基板，从而减少存储器单元中的浮体效应。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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