艾迈斯-欧司朗申请包括填充材料的光电半导体器件及制造方法专利，导电层可与半导体层堆叠部分电接触_微电子

艾迈斯-欧司朗申请包括填充材料的光电半导体器件及制造方法专利，导电层可与半导体层堆叠部分电接触

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2025-11-25 12:09:12

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国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“包括填充材料的光电半导体器件及用于制造光电半导体器件的方法”的专利，公开号CN121003042A，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，一种光电半导体器件（10）包括：半导体层堆叠（105），其被配置为用于产生电磁辐射（15）；以及镜（122），其包括介电层（111、112），该介电层布置在半导体层堆叠（105）的第一主表面（107）上方，在镜（122）中形成开口（125），开口（125）从镜的第一主表面（123）延伸到镜（122）的第二表面（124），镜（122）的第一主表面（123）远离半导体层堆叠（105）。该光电半导体器件（10）还包括导电层（128），其布置在镜（122）的第一主表面（123）上方，导电层（128）布置在开口（125）的侧壁（126）上，由此限定空隙（129），并且导电层被配置为用于与半导体层堆叠（105）的一部分进行电接触。此外，该光电半导体器件（10）包括：填充空隙（129）的填充材料（130），该填充材料（130）与导电层（128）不同；以及焊料层（133），其在填充材料（130）上方以及在导电层（128）上方，焊料层（133）的材料与填充材料（130）不同。该光电半导体器件（10）还包括导电载体（135），其在焊料层（133）上方。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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