澳柯玛云联申请半导体器件制造方法专利，获得更大的击穿电压_微电子

澳柯玛云联申请半导体器件制造方法专利，获得更大的击穿电压

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2026-03-06 19:27:59

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国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121619918A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制造方法，在有源区的顶角处形成多级阶梯式结构，增加了有源区顶角处的表面面积，同时增加了器件隔离结构和有源区侧壁之间的距离，在后续原位生长栅氧化层时，避免器件隔离结构对栅氧化层的挤压，并改善栅氧化层的生长速率统一化及生成厚度均一性，提高栅氧化层边缘处的厚度，改善栅氧化层制造时的尖角问题，而且有源区的顶角处的多级阶梯式结构，还可以加大有源区顶角到后续形成的栅氧化层尖端的最短距离，由此在尖端放电效应的作用下，电流需要经过更长的栅氧化层长度到达后续在栅氧化层上方形成的栅极处，从而获得更大的击穿电压。

天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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