武汉楚兴技术申请金属导线的形成方法及半导体结构专利,提高了金属导线质量
创始人
2026-03-06 11:51:58
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国家知识产权局信息显示,武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种金属导线的形成方法及半导体结构”的专利,公开号CN121620193A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本申请提供一种金属导线的形成方法及半导体结构,半导体结构包括层叠的第二介电层和第一介电层,第一介电层包括多孔材料,第二介电层中具有金属层,第一介电层中具有多个通孔,金属层的表面暴露在通孔的底部;至少在通孔的侧壁上形成保护层;保护层的材料包括非金属材料或金属氧化物;在通孔内填充金属材料,形成与金属层连接的金属导线。通过在通孔侧壁上沉积保护层,保护层基本不会与第一介电层中残留的挥发性小分子发生反应,不会对保护层造成损伤,避免被保护层所包围的金属导线被腐蚀,既保障金属导线与金属层良好接触,还避免金属导线侧壁被损伤形成孔洞缺陷,提高了金属导线质量,进而保障金属导线电流传输能力,提高了半导体结构性能。

天眼查资料显示,武汉楚兴技术有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目39次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息116条,此外企业还拥有行政许可321个。

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来源:市场资讯

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