截至2025年11月14日收盘，微导纳米（688147）报收于57.58元，较上周的50.96元上涨12.99%。本周，微导纳米11月14日盘中最高价报61.17元。11月12日盘中最低价报48.18元。微导纳米当前最新总市值265.53亿元，在光伏设备板块市值排名20/64，在两市A股市值排名708/5165。

本周关注点

• 来自机构调研要点：存储芯片“超级周期”推动公司订单增长，半导体新增订单超80%来自存储芯片头部客户。
• 来自机构调研要点：ALD技术因三维覆盖能力强，成为3D NAND和DRAM制造不可或缺的核心工艺。
• 来自机构调研要点：公司CVD硬掩膜工艺具备高刻蚀选择比，保障数百层堆叠结构的图形精准转移。
• 来自公司公告汇总：公司完成股份回购，累计回购2,901,842股，实际支付约7953万元。

公司将显著受益于国内存储芯片头部客户的加速扩产与工艺升级。公司作为国内领先的LD与高端CVD设备供应商，设备已广泛应用于国产存储芯片产线，半导体新增订单中超过80%来自于存储芯片NND与DRM头部客户。为满足持续增长的市场需求，公司正积极扩大核心产品产能。同时，公司还在持续推出新产品，相关工艺技术对推动存储芯片技术迭代尤其是3D DRM、3D NND技术的研发与产业化具有关键支撑作用。展望未来，随着存储芯片3D结构堆叠层数持续提升及客户产能规模加速扩张，相关设备需求有望持续放量。

公司是国内领先的LD设备供应商，相关产品涵盖了行业所需主流LD薄膜材料及工艺，在高介电常数材料、金属化合物薄膜等领域均实现了产业化应用，量产规模不断增加。高端CVD设备方面，公司实现了硬掩膜等关键工艺的技术和产业化突破，订单和产品规模持续增长。

随着存储芯片转向3D架构，堆叠层数不断增加，器件结构日趋复杂。在此背景下，传统沉积工艺已难以在复杂三维结构内实现均匀、保形的薄膜沉积。LD（原子层沉积）技术凭借其优异的三维覆盖能力和原子级膜厚控制精度，成为制造3D NND和3D DRM不可或缺的核心工艺。在国产存储芯片向更高层数与技术节点迭代的过程中，LD技术的作用愈发关键，需求持续提升。

CVD硬掩膜工艺是集成电路领域应用广泛的工艺之一，尤其是无定形碳沉积的硬掩膜，属于其中最为先进和有技术难度的部分之一。该工艺制备的无定形碳硬掩膜具有优异的刻蚀选择比，能够在长时间刻蚀过程中保持图形完整性，确保在数百层的堆叠结构中将设计图形精准转移到下层介质，为实现存储芯片的高密度集成提供了关键技术保障。

除存储芯片外，公司在逻辑芯片和先进封装领域均取得重要突破。逻辑芯片领域，公司与国内主流厂商保持着稳定合作，多款设备已通过客户严格的技术验证，关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。随着国内市场对高端国产薄膜沉积设备需求的增长，该领域业务有望保持增长态势。先进封装领域，公司相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。公司作为国内少数具备该领域设备研发与生产能力的企业之一，具有先发优势，相关业务预计将获得良好的发展机遇。

公司定位为国产高端薄膜沉积技术领域的创新引领者。我国半导体设备产业在部分细分领域已取得显著进步，但整体国产化率仍处于较低水平，尤其在薄膜沉积等核心设备领域，中高端产品的国产化进程明显滞后，相关产品的需求尤为紧迫。公司凭借在高端薄膜沉积领域的技术积累，持续助力国内半导体产业的发展。过去几年，公司聚焦于国内半导体产业最亟需关键工艺环节，在LD、高端CVD等设备上取得了一系列技术突破并实现产业化应用，产品技术获得了逻辑、存储、先进封装、化合物半导体等多个领域头部客户的认可，并持续获得高端薄膜沉积设备的订单。未来，公司将继续聚焦半导体高端薄膜工艺和解决方案，持续推动半导体设备国产化进程，服务并引领半导体新架构、新器件发展。

公司公告汇总

江苏微导纳米科技股份有限公司于2024年11月15日披露股份回购方案，拟使用自有资金及专项贷款通过集中竞价方式回购股份，用于员工持股计划或股权激励，回购金额为4,000万元至8,000万元，价格上限为42.72元/股。截至2025年11月13日，公司已完成回购，累计回购股份2,901,842股，占总股本0.63%，实际支付金额79,526,891.92元，回购价格区间为23.66元/股至30.70元/股。回购股份存放于专用证券账户，将在三年内用于股权激励或员工持股计划，未转让部分将依法注销。

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