北方工业大学申请GaN-HEMTs自适应变幅度有源泄放驱动电路专利，有效抑制功率电路对驱动回路的干扰
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2026-06-24 04:54:02
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国家知识产权局信息显示，北方工业大学、北京卫星制造厂有限公司申请一项名为“一种GaN-HEMTs的自适应变幅度-有源泄放-驱动电路”的专利，公开号CN122268135A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN‑HEMTs的自适应变幅度‑有源泄放‑驱动电路，包括单电源驱动芯片，单电源驱动芯片通过两条驱动支路做为GaN‑HEMTs的驱动电路，两条支路分别为稳态支路和RC充放电瞬态支路；稳态支路连接有二极管（Don），能确保GaN‑HEMTs在导通期间输出相对固定的稳态电流；RC充放电瞬态支路通过变幅度驱动实现高速驱动。所述RC充放电瞬态支路设有有源泄放电路，能确保GaN‑HEMTs的可靠关断，有效抑制串扰。单电源高压驱动芯片为单极性驱动电源，其驱动电压为15‑20V。采用高速‑高抗干扰两级退耦供电电源，能有效抑制功率电路对驱动回路的干扰及其驱动回路之间的相互串扰现象。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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