上海集成电路制造创新中心申请有机二极管及其制造方法专利，提供高耐压有机二极管
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2026-02-17 14:11:48
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国家知识产权局信息显示，上海集成电路制造创新中心有限公司申请一项名为“有机二极管及其制造方法”的专利，公开号CN121531884A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种有机二极管及其制造方法，该有机二极管包括：第一导电类型的无机半导体衬底；位于第一导电类型的无机半导体衬底第一侧的至少两层第一导电类型的外延结构，包括：位于第一导电类型的无机半导体衬底第一侧的第一掺杂浓度的无机半导体外延层，以及位于第一掺杂浓度的无机半导体外延层之上的第二掺杂浓度的无机半导体外延层；第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度；第二掺杂浓度的无机半导体外延层之上设有第二导电类型的有机半导体层；第一导电类型的无机半导体衬底的第二侧设有第一电极，在第二导电类型的有机半导体层的第一侧设有第二电极。本发明用于提供高耐压、低漏电、高整流比的有机二极管。
天眼查资料显示，上海集成电路制造创新中心有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路制造创新中心有限公司参与招投标项目167次，专利信息241条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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