国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN122248771A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,本发明公开一种半导体装置及其制造方法,其中该半导体装置包括基板、位于基板上的介电层、设置在介电层上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极电极、保护层以及多个源/漏极电极层。栅极绝缘层形成于氧化物半导体层的表面上。栅极电极形成于栅极绝缘层的表面上。保护层从栅极绝缘层的边缘沿着氧化物半导体层的表面延伸形成。源/漏极电极层位于栅极电极两侧的氧化物半导体层与保护层上。
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