国家知识产权局信息显示,万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“抑制电耦合的半导体封装”的专利,公开号CN122249065A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,一种半导体封装,包括一个引线框架、一个第一高压侧场效应晶体管(FET)、一个第二高压侧FET、一个第一金属夹、一个第二金属夹、一个第一低压侧FET、一个第二低压侧FET、一个第三金属夹、一个金属块、一个集成电路(IC)、多根接合引线以及一个模塑封装。一种制造方法,包括以下步骤:提供一个引线框架;安装一个第一高压侧FET和一个第二高压侧FET;连接一个第一金属夹和一个第二金属夹;安装一个第一低压侧FET和一个第二低压侧FET;连接一个第三金属夹;连接一个IC;形成一个模塑封装;以及执行一次单体化工艺。
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