新存科技申请相变存储器形成方法专利，改善第一导电线的形貌
创始人
2026-05-31 04:07:04
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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器的形成方法和相变存储器”的专利，公开号CN122121541A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种相变存储器的形成方法和相变存储器，先在第一触点上形成绝缘层，然后对绝缘层进行刻蚀形成凹槽，最后在凹槽内形成与第一触点连接的第一导电线。因此，本申请形成第一导电线的方法不需要对钨进行刻蚀，所以可以改善第一导电线的形貌，提高第一导电线的宽度一致性和空洞现象；同时改善第一触点的过度刻蚀以减少第一触点损伤，进而改善电阻。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息227条。
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来源：市场资讯
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