无锡升滕半导体技术申请半导体晶体用智能真空沉积箱专利，有助于提升设备运行的可靠性与沉积质量_微电子

无锡升滕半导体技术申请半导体晶体用智能真空沉积箱专利，有助于提升设备运行的可靠性与沉积质量

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2026-05-17 07:53:32

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国家知识产权局信息显示，无锡升滕半导体技术有限公司申请一项名为“一种半导体晶体用智能真空沉积箱及其工艺”的专利，公开号CN122038990A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制备技术领域，公开了一种半导体晶体用智能真空沉积箱及其工艺，包括沉积箱本体，沉积箱本体内部安装有加热组件，沉积箱本体底部安装有坩埚，沉积箱本体上还安装有盖板。本发明通过驱动电机带动承托板旋转，借助涡状线形状导向滑轨、同步杆与滚珠的联动结构，利用机械传动实现承托板偏转角度的动态增大，无需在真空环境内设置额外驱动部件，此举不仅可有效规避额外驱动源在真空环境下信号传输衰减、延迟或误动作的问题，同时有助于降低驱动源贯穿真空腔室破坏密封性能的风险，保障真空环境的稳定性，也能减少驱动源润滑介质挥发污染工件和沉积环境的隐患，有助于提升设备运行的可靠性与沉积质量。

天眼查资料显示，无锡升滕半导体技术有限公司，成立于2010年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡升滕半导体技术有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可38个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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