芯粤能半导体申请半导体结构及其制备方法专利，增强了栅极氧化层的长期可靠性和器件的耐压能力_微电子

芯粤能半导体申请半导体结构及其制备方法专利，增强了栅极氧化层的长期可靠性和器件的耐压能力

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2026-01-02 19:08:46

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国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121262850A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构由于在源极沟槽内填充了宽禁带介质层，使电场在横向和纵向上分布得更加均匀平坦，宽禁带介质层可以更精细地调制器件内部的电场，特别是栅极沟槽底部的电场峰值，使得栅极氧化层承受的最大电场应力会进一步降低，从而增强了栅极氧化层的长期可靠性和器件的耐压能力。同时降低了器件热阻，提升了功率密度，减少了热应力，提高了器件在严峻功率循环工况下的机械鲁棒性和寿命。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息81条，此外企业还拥有行政许可99个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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