华虹半导体申请嵌入式闪存的制造方法专利，有效降低了存储单元高度
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2026-05-14 09:33:48
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“嵌入式闪存的制造方法”的专利，公开号CN122028421A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种嵌入式闪存的制造方法。该方法包括：提供衬底，定义出具有第一间距的源极线区域和具有第二间距的位线区域，且第一间距小于第二间距；沉积导电材料，利用间距差异使导电材料在源极线区域呈填满状态，在位线区域呈非填满状态；对导电材料进行图形化处理，在源极线区域形成擦除栅，并在位线区域自对准形成字线。本发明利用物理填充特性的差异，配合平坦化及回刻蚀工艺，实现了字线的自对准形成，无需额外光罩，有效降低了存储单元高度，避免了对准误差，提高了器件良率。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1998条，此外企业还拥有行政许可117个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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