电子电器

小米系牵线搭桥失败?帝奥微收购荣湃半导体交易宣告终止

12月5日,帝奥微(688381)公告,公司原拟以发行股份及支付现金的方式购买荣湃半导体(上海)有限公司(简称“荣湃半导体”)100%的股权同时募集配套资金。此...

寒序科技取得非易失存储-SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统专利

国家知识产权局信息显示,寒序科技(北京)有限公司取得一项名为“非易失存储-SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统”的专利,授权公告号CN1195171...

股票行情快报:强达电路(301628)12月5日主力资金净卖出92.92万元

证券之星消息,截至2025年12月5日收盘,强达电路(301628)报收于85.37元,上涨2.35%,换手率2.43%,成交量7929.0手,成交额6693....

绘强电子申请便于安装的复印机粉盒专利,方便粉盒拆装

国家知识产权局信息显示,中山市绘强电子科技有限公司申请一项名为“一种便于安装的复印机粉盒”的专利,公开号CN121069722A,申请日期为2025年10月。 ...

绝缘电阻检测,第三方检测机构

绝缘电阻检测技术 绝缘电阻检测技术 一、检测介绍 绝缘电阻检测是电气设备安全性能评估中的关键环节,主要用于评估电气设备或材料在特定电压下绝缘性能的优劣。绝...

南通同裕光电科技取得用于配电网的接地故障诊断装置专利

国家知识产权局信息显示,南通同裕光电科技有限公司取得一项名为“一种用于配电网的接地故障诊断装置”的专利,授权公告号CN120908603B,申请日期为2025年...

通视光电取得基于多维光学感知的成像设备及方法专利

国家知识产权局信息显示,长春通视光电技术股份有限公司取得一项名为“一种基于多维光学感知的成像设备及成像方法”的专利,授权公告号CN120897123B,申请日期...

鸿钧微电子取得验证方法及存储介质专利

国家知识产权局信息显示,广东鸿钧微电子科技有限公司取得一项名为“验证方法及存储介质”的专利,授权公告号CN119312744B,申请日期为2024年9月。 天眼...

新通达电子取得基于胶体喷涂的IC台阶保护结构专利,显著提高了生产效率和产品质量

国家知识产权局信息显示,江苏新通达电子科技股份有限公司取得一项名为“基于胶体喷涂的IC台阶保护结构”的专利,授权公告号CN 223620336 U,申请日期为2...

济南汽车检测中心等申请车辆屏蔽电源系统干扰电流的测量装置、方法、终端及存储介质专利,显著提高测量数据的准确性

国家知识产权局信息显示,济南汽车检测中心有限公司;中国重汽集团济南动力有限公司申请一项名为“一种车辆屏蔽电源系统干扰电流的测量装置、方法、终端及存储介质”的专利...

国盛卓越光电取得一种偏光片打孔装置专利

国家知识产权局信息显示,赣州市国盛卓越光电材料有限公司取得一项名为“一种偏光片打孔装置”的专利,授权公告号CN120552150B,申请日期为2025年7月。 ...

MOS管炸管隐患

华进半导体申请光电合封器件的封装方法专利,减少飞片问题发生

国家知识产权局信息显示,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“光电合封器件的封装方法”的专利,公开号CN121075927A,申请日期为2025年...

海信取得一种视角切换方法及电子设备专利

国家知识产权局信息显示,海信集团控股股份有限公司取得一项名为“一种视角切换方法及电子设备”的专利,授权公告号CN116843763B,申请日期为2023年5月。...

宁德时代取得电芯电压采集方法、装置、电池管理系统、介质和产品专利

国家知识产权局信息显示,宁德时代润智软件科技有限公司、宁德时代新能源科技股份有限公司取得一项名为“电芯电压采集方法、装置、电池管理系统、介质和产品”的专利,授权...

华虹半导体无锡取得研磨方法专利

国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司取得一项名为“研磨方法”的专利,授权公告号CN114823318B,申请日期为2022年4月。 天眼查资料显示...

富满微电子取得一种充电电路及芯片专利

国家知识产权局信息显示,富满微电子集团股份有限公司取得一项名为“一种充电电路及芯片”的专利,授权公告号CN114362323B,申请日期为2022年1月。 天眼...

四会富仕:部分PCB产品间接应用于机器人领域

证券之星消息,四会富仕(300852)12月05日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问:董秘您好:特朗普政府最新表态支持机器人行业,请问贵公司产...

强达电路:12月5日召开董事会会议

每经AI快讯,强达电路(SZ 301628,收盘价:85.37元)12月5日晚间发布公告称,公司第二届第十一次董事会会议于2025年12月5日在公司会议室以现场...

创豪半导体取得封装基板镭射钻孔方法及封装基板专利

国家知识产权局信息显示,浙江创豪半导体有限公司取得一项名为“封装基板镭射钻孔方法及封装基板”的专利,授权公告号CN120816166B,申请日期为2025年9月...

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