悟劳茂材料申请半导体测试装置及其制造方法专利，可测试电连接
创始人
2025-12-08 17:07:55
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国家知识产权局信息显示，悟劳茂材料公司申请一项名为“半导体测试装置及其制造方法”的专利，公开号CN121076052A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明的一实施例的半导体测试装置，其特征为，夹设于半导体存储器之间或者半导体存储器与插入件(Interposer)之间，用于测试电连接。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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