长飞先进半导体申请半导体器件及其制备方法专利，能够降低半导体器件的成本以及流通时间_电子电器

长飞先进半导体申请半导体器件及其制备方法专利，能够降低半导体器件的成本以及流通时间

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2026-09-12 19:20:58

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利，公开号CN122742424A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆。半导体器件包括元胞区和环绕元胞区的终端区；终端区包括：第一半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；第一绝缘层，位于第一表面远离第二表面的一侧；栅极引出层，位于第一绝缘层远离第一表面的一侧；第一导电阻挡层，位于栅极引出层远离第一表面的一侧，并覆盖栅极引出层的至少部分表面；第二绝缘层，位于第一导电阻挡层远离第一表面的一侧；第二绝缘层具有栅极接触孔；沿半导体器件的厚度方向，栅极接触孔在第一表面的正投影，位于第一导电阻挡层在第一表面的正投影内。本发明能够降低半导体器件的成本以及流通时间。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目44次，专利信息157条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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