国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利,公开号CN122719147A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体结构的制造方法,其包括以下步骤。形成沟槽于基板中。对基板执行第一氧化工艺,以形成第一氧化薄层于沟槽中。对第一氧化薄层执行第二氧化工艺,以形成第二氧化薄层于第一氧化薄层上,其中第一氧化工艺不同于第二氧化工艺。沉积隔离材料于第二氧化薄层上。此方法可以避免主动区移位和坍塌问题。
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