物元半导体申请TSV垂直互连结构制备方法专利，降低刻蚀的工艺难度
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2025-11-28 19:37:31
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国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种TSV垂直互连结构的制备方法”的专利，公开号CN121035054A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明的TSV垂直互连结构的制备方法首先提供多个衬底，每个衬底包括相对设置的第一表面和第二表面。然后于多个衬底的第一表面上形成薄膜层，薄膜层包括第一绝缘层和粘合层。接下来自多个薄膜层表面沿衬底的厚度方向进行刻蚀，以形成通孔。随后于通孔中形成金属柱，以得到键合衬底。最后将多个键合衬底进行键合，使得不同键合衬底的金属柱垂直导通。本发明的TSV垂直互连结构能够实现高精度、高深宽比的TSV结构，降低刻蚀的工艺难度。并且通过重复堆叠，可以实现任意深宽比TSV结构。不仅提高了互连密度和带宽，还降低了功耗和延迟，适用于高性能计算、存储器和传感器等应用领域。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45000万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可12个。
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