MMUN2113LT1G 是一款 NPN 型数字晶体管，属于 ON Semiconductor (安森美) 的产品线，专为低功耗和高集成度的电子应用而设计。该晶体管采用表面贴装型 (SMD) 封装 SOT-23-3（TO-236），使其成为许多现代电子电路的理想选择，特别是在空间有限的紧凑型应用中。

主要特性

1. 类型: PNP 预偏置类型晶体管
2. 集电极电流 (Ic): 最大 100mA，适合驱动多种低功耗负载。
3. 集射极击穿电压 (Vce): 最大 50V，提供了较好的耐压性能，使其适用于高电压应用场合。
4. 功耗: 最大功率为 246mW，适合在低功耗设计中使用，帮助降低整个电路的能量消耗。
5. 电流增益 (hFE): 在 5mA 的集电极电流和 10V 的偏置条件下，hFE 最小值为 80，确保了良好的放大性能。
6. 饱和压降 (Vce(sat)): 在 300µA 和 10mA 的条件下，Vce 饱和压降最大值为 250mV，降低了导通时的功耗，提高了整体效率。
7. 基极电阻 (R1): 47 kΩ，这一预 bias 设计使得器件在开关应用中表现出色。
8. 发射极电阻 (R2): 同样为 47 kΩ，配合基极电阻，共同提高了电流增益和开关速度。
9. 截止电流: 在集电极截止 (Ic) 条件下，最大为 500nA，降低了静态功耗。

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规格参数：

产品种类: 数字晶体管

RoHS:

配置: Single

晶体管极性: PNP

典型输入电阻器: 47 kOhms

典型电阻器比率: 1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 80

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mA

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 246 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMUN2113L

直流电流增益 hFE 最大值: 80

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: Digital Transistors

工厂包装数量：3000

子类别: Transistors

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg

引脚图：