华虹宏力申请金属电容器件的形成方法专利，改善底层金属层的性能
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2025-11-27 11:18:17
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“金属电容器件的形成方法”的专利，公开号CN121013354A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明提供了一种金属电容器件的形成方法，包括：在衬底表面形成底层金属层，底层金属层至少包括铝金属膜层，铝金属膜层掺杂有铜材料；在底层金属层的表面依次形成介电层、顶层金属层和图案化的第一光刻胶层；以图案化的第一光刻胶层刻蚀去处露出的部分顶层金属层以及刻蚀部分厚度的介电层；在腔体中灰化去除图案化的第一光刻胶层，腔体内温度为250℃～300℃；判断在腔体中停留的时间，如果停留时间超过设定值，则进行S6～S8，如果未超过设定值，则进行S7～S8；S6：对底层金属层进行热退火工艺，退火温度为350℃～450℃；S7：在顶层金属层和介电层表面形成抗反射膜层；S8：刻蚀剩余的介电层和底层金属层。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目928次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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