燕东微电子申请MOS晶体管和集成电路专利，可有效抑制GIDL漏电流_电子电器

燕东微电子申请MOS晶体管和集成电路专利，可有效抑制GIDL漏电流

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2026-03-27 12:14:10

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国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“MOS晶体管和集成电路”的专利，公开号CN121751684A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，具体提供一种MOS晶体管和集成电路，旨在解决现有高压CMOS的GIDL漏电的技术问题。为此目的，本申请的MOS晶体管包括：半导体基板；设置在半导体基板内的源区和漏区；设置在源区和漏区之间且位于半导体基板上的栅极结构，包括栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上方的栅极，其中栅极绝缘层包括靠近漏区的第一区域和靠近源区的第二区域，第一区域的物理厚度大于或等于第二区域的物理厚度；第一区域至少包括依次层叠设置于半导体基板上的第一绝缘层和第二绝缘层，其中第一绝缘层的介电常数大于第二绝缘层的介电常数，可有效抑制GIDL漏电流，保障器件性能与可靠性。

天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1150次，专利信息180条，此外企业还拥有行政许可113个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示栅极投资半导体绝缘层集成电路包括晶体管专利漏区源区基板

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