新存科技申请相变存储器耐久性测试方法专利，大大降低相变存储器耐久性测试的时间成本和测试成本_电子电器

新存科技申请相变存储器耐久性测试方法专利，大大降低相变存储器耐久性测试的时间成本和测试成本

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2026-03-26 16:16:38

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器耐久性测试方法、存储介质和相变存储器”的专利，公开号CN121725862A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种相变存储器耐久性测试方法、存储介质和相变存储器，涉及半导体技术领域，该方法包括：在相变存储器中确定目标测试区域；向目标测试区域进行第一全0数据模式写入操作后，对目标测试区域执行至少一次目标操作；目标操作包括：延迟预设时间后，向目标测试区域进行第二全0数据模式写入操作，并获取目标测试区域的错误系数；当检测到目标测试区域的错误系数不小于预设阈值时，输出测试数据。本公开的技术方案，通过向目标测试区域进行第一全0数据模式写入操作后，对目标测试区域执行至少一次目标操作，能够加速对目标测试区域的磨损，从而大大降低相变存储器耐久性测试的时间成本和测试成本。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息207条。

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来源：市场资讯

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