高真科技取得半导体薄膜沉积设备专利，精确控制晶圆各区域的薄膜沉积厚度_电子电器

高真科技取得半导体薄膜沉积设备专利，精确控制晶圆各区域的薄膜沉积厚度

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2026-03-19 02:12:37

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国家知识产权局信息显示，成都高真科技有限公司取得一项名为“半导体薄膜沉积设备”的专利，授权公告号CN224001498U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体薄膜沉积设备。本实用新型中的半导体薄膜沉积设备包括反应腔体和真空系统，反应腔体的内部设置有多个晶圆支撑平台，反应腔体的底部设置有多组抽气口，抽气口和反应腔体的内部连通，每组抽气口和一个晶圆支撑平台对应设置，每组中的多个抽气口环绕晶圆支撑平台的周向设置；真空系统包括真空泵和多个真空管路，抽气口通过真空管路和真空泵连通，每个真空管路上均设置有节流阀，节流阀用于调节真空管路的抽气流量。本技术方案中的半导体薄膜沉积设备可以精确控制晶圆各区域的薄膜沉积厚度。

天眼查资料显示，成都高真科技有限公司，成立于2020年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本409512万人民币。通过天眼查大数据分析，成都高真科技有限公司参与招投标项目149次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可71个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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