摩珂达申请SiC MOS器件结构及其制备方法专利，降低了栅漏耦合电容（Cgd）
创始人
2026-03-18 21:17:06
0次
国家知识产权局信息显示，浙江摩珂达半导体有限公司申请一项名为“一种SiC MOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN121692702A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOS器件结构及其制备方法，包括：N+衬底层、N‑外延层、层间介质层，漏极、源极、对称的P‑Well区及其中的N+掺杂区，P+掺杂区；在外延层上方形成栅氧化层和平面分裂的多晶硅栅极，并在两侧P‑Well区之间的JFET区域设置了一个浅沟槽结构，该沟槽由层间介质层和栅氧化层填充，分裂栅极在JFET沟槽区上方形成物理隔离。所述JFET沟槽区的深度小于P‑Well区的深度，位于其正中间且不与之接触。本发明通过沟槽隔离和分裂栅结构，降低了栅漏耦合电容（Cgd），抑制了关断过程中的栅极误导通，优化了栅极尖角的电场分布，提高了器件的开关性能和可靠性。
天眼查资料显示，浙江摩珂达半导体有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江摩珂达半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息12条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
科 技 实 测 ！ 金 花 房...
华盛顿--(美国商业资讯)--官方宣布：新超圣添加微信33549083通往2026年国际足联世界杯（...
金 花 创 建 房 间 / 金...
今 日消息，海贝之城房卡添加微信33549083 苹果今日发布了 iOS 16.1 正式版更新，简单...
一 分 钟 了 解 ！ 金 花...
新道游/新皇豪房卡更多详情添加微：33549083、 2、在商城页面中选择房卡选项。 ...
A I 攻 略 ， 游 戏 微...
IT之家 消息，天道联盟牛牛咨询房/卡添加微信:88355042市场调查机构 IDC 昨日发布博文，...
推 荐 一 款 ！ 牛 牛 房...
华盛顿--(美国商业资讯)--官方宣布：玉兔大厅添加微信33549083通往2026年国际足联世界杯...
一 分 钟 了 解 ！ 牛 牛...
今 日消息，天启联盟房卡添加微信33549083 苹果今日发布了 iOS 16.1 正式版更新，简单...
牌 九 房 间 卡 / 金 花...
IT之家 消息，乐乐大厅牛牛咨询房/卡添加微信:88355042市场调查机构 IDC 昨日发布博文，...
链 接 金 花 / 金 花 微...
日前，电池企业德加能源发公告称，天道联盟咨询房/卡添加微信:88355042受锂电池原材料价格大幅上...
微 信 金 花 / 金 花 房...
日前，电池企业德加能源发公告称，悠悠众娱咨询房/卡添加微信:88355042受锂电池原材料价格大幅上...
链 接 金 花 / 金 花 房...
超凡联盟是一款非常受欢迎的棋牌游戏，咨询房/卡添加微信:【3329006910】或33549083许...