摩珂达申请SiC MOS器件结构及其制备方法专利，降低了栅漏耦合电容（Cgd）_电子电器

摩珂达申请SiC MOS器件结构及其制备方法专利，降低了栅漏耦合电容（Cgd）

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2026-03-18 21:17:06

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国家知识产权局信息显示，浙江摩珂达半导体有限公司申请一项名为“一种SiC MOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN121692702A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOS器件结构及其制备方法，包括：N+衬底层、N‑外延层、层间介质层，漏极、源极、对称的P‑Well区及其中的N+掺杂区，P+掺杂区；在外延层上方形成栅氧化层和平面分裂的多晶硅栅极，并在两侧P‑Well区之间的JFET区域设置了一个浅沟槽结构，该沟槽由层间介质层和栅氧化层填充，分裂栅极在JFET沟槽区上方形成物理隔离。所述JFET沟槽区的深度小于P‑Well区的深度，位于其正中间且不与之接触。本发明通过沟槽隔离和分裂栅结构，降低了栅漏耦合电容（Cgd），抑制了关断过程中的栅极误导通，优化了栅极尖角的电场分布，提高了器件的开关性能和可靠性。

天眼查资料显示，浙江摩珂达半导体有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江摩珂达半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息12条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法 Cgd 栅极沟槽降低器件浙江耦合结构专利掺杂区摩珂达 Well区

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