昇维旭申请半导体结构及其制备方法专利，降低金属柱的电阻
创始人
2026-03-17 16:46:02
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国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121666057A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，在基底上部形成镶嵌的多个金属柱，其中，金属柱通过ALD工艺形成，金属柱的上表面与基底的上表面平齐；在基底和金属柱的上表面形成保护层；在保护层上形成具有多个开口的掩膜层，其中，多个开口分别与多个金属柱的位置一一对应，开口在基底的正投影与金属柱在基底的正投影重合，或开口在基底的正投影位于金属柱在基底的正投影内；以掩膜层为掩膜对金属柱进行氢离子注入处理；去除掩膜层和保护层；对金属柱执行热退火工艺。本申请的技术方案可以有效降低金属柱的电阻，提升其导电性能。
天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可16个。
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来源：市场资讯
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