昇维旭申请半导体结构及其制备方法专利，降低金属柱的电阻_电子电器

昇维旭申请半导体结构及其制备方法专利，降低金属柱的电阻

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2026-03-17 16:46:02

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国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121666057A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，在基底上部形成镶嵌的多个金属柱，其中，金属柱通过ALD工艺形成，金属柱的上表面与基底的上表面平齐；在基底和金属柱的上表面形成保护层；在保护层上形成具有多个开口的掩膜层，其中，多个开口分别与多个金属柱的位置一一对应，开口在基底的正投影与金属柱在基底的正投影重合，或开口在基底的正投影位于金属柱在基底的正投影内；以掩膜层为掩膜对金属柱进行氢离子注入处理；去除掩膜层和保护层；对金属柱执行热退火工艺。本申请的技术方案可以有效降低金属柱的电阻，提升其导电性能。

天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法正投影昇维技术投资金属柱导体结构专利基底保护层昇维旭掩膜

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