亿思半导体申请MRAM交流参数测试专利，实现低成本高精度测试_电子电器

亿思半导体申请MRAM交流参数测试专利，实现低成本高精度测试

创始人

2026-03-17 02:48:01

0次

国家知识产权局信息显示，无锡亿思半导体有限公司申请一项名为“一种MRAM交流参数的测试方法、系统、介质与产品”的专利，公开号CN121662135A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种MRAM交流参数的测试方法、系统、介质与产品，涉及芯片测试技术领域，该方法包括：配置基于预先测量的误差延时值的校准延时值，对系统固有的信号传输偏斜进行补偿。在此基础上，通过对配置延时值进行步进调整，并利用主控芯片的延时控制引脚精确配置若干延时芯片的延时量，系统得以在纳秒甚至更高精度上，探索待测MRAM芯片的功能边界。最终，通过记录读取数据不符合预设数据时的配置延时值。本方案解决了现有技术中如何实现低成本高精度的测试MRAM交流参数的技术问题。

天眼查资料显示，无锡亿思半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡亿思半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

读取数据技术配置交流参数半导体测试芯片无锡专利亿思延时值

上一篇：半导体量检测设备公司「微崇半导体」完成战略融资

下一篇：常压下超导转变温度纪录刷新

亿思半导体申请MRAM交流参数测试专利，实现低成本高精度测试

相关内容

热门资讯