长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法专利，可以提升半导体器件的雪崩耐量_电子电器

长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法专利，可以提升半导体器件的雪崩耐量

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2026-07-05 01:58:11

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN122340867A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括有源区和终端区；终端区围绕有源区设置；终端区包括半导体本体，设置为第一导电类型；还包括第一区域，设置为第二导电类型且位于第一表面；第一表面设置有多个呈间隔排布的沟槽；多个沟槽在第一表面的垂直投影位于第一区域在第一表面的垂直投影内；还包括隔离层，设置于沟槽内；半导体本体还包括多个场限环，设置为第二导电类型且位于第一表面；场氧层，位于第一表面；场板层，位于场氧层远离第一表面的一侧；栅极电极，位于场板层远离场氧层的一侧；源极；漏极。本申请实施例的技术方案，可以提升半导体器件的雪崩耐量，提高半导体器件的性能。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目41次，专利信息135条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造显示先进半导体投资终端区表面包括武汉专利导电有源区器件半导体

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