国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置的制造方法”的专利,公开号CN121645879A,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,本申请涉及存储器装置的制造方法。一种制造存储器装置的方法包括以下步骤:形成贯穿层叠结构的开口;形成包括第一部分和第二部分的沟道层,其中,所述第一部分在所述层叠结构的上表面上延伸,并且所述第二部分在所述开口的内侧表面上延伸;在所述沟道层的第一部分上形成保护层;以及蚀刻所述第二部分的未被所述保护层覆盖的一部分,使得所述第二部分具有小于所述第一部分的厚度。
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来源:市场资讯