中芯国际申请半导体结构形成方法专利，提升器件结构可靠性
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121620229A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括焊盘；在基底上形成第一钝化层，第一钝化层覆盖焊盘且暴露出焊盘的部分顶部表面，形成第一钝化层的过程中包括平坦化处理；在第一钝化层上形成重布线层；在第一钝化层上形成第二钝化层，第二钝化层覆盖重布线层且暴露出重布线层的部分顶部表面。形成第一钝化层的过程中包括平坦化处理。通过平坦化处理能够改善第一钝化层顶部表面的平坦度，进而能够保证在第一钝化层上形成的重布线材料层也具有较好的平坦度。当对重布线材料层进行图形化刻蚀处理的过程中，能够减少金属材料在凹陷位置残留的问题，进而减少冗余金属材料造成重布线层发生短接的问题，以此提升器件结构的可靠性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。
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来源：市场资讯