新微半导体申请半导体工艺方法及结构专利，提高曝光工艺得到的图形精度_电子电器

新微半导体申请半导体工艺方法及结构专利，提高曝光工艺得到的图形精度

创始人

2026-03-03 12:17:08

0次

国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“一种半导体工艺方法及半导体结构”的专利，公开号CN121596686A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，方法包括：通过基材上的对位标记对准曝光显影得到图形化的第一光刻胶层；第一光刻胶层间隙形成第一导电层；设置不遮挡对位标记的金属反射补偿层；曝光显影后得到图形化的第二光刻胶层；第二光刻胶层的间隙形成第二导电层，得到双层导电器件结构。本发明在曝光工艺中引入金属反射补偿层，补偿曝光参数，减少动态误差，提高曝光焦点测量及焦平面选择的准确性和可靠性，提高曝光工艺得到的图形精度，并协同优化光刻胶光学性能；另外金属反射补偿层改善高深宽比结构的光阻曝光焦平面的取平效果，适用于各种高精度的曝光工艺调焦；最后设置金属反射补偿层的合适材料，进一步优化对曝光工艺的调焦优化效果。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目842次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可83个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法投资补偿导体反射图形工艺结构专利金属第二光刻胶层补偿层电层半导体

上一篇：资金榜丨居同类基金首位！科创芯片ETF易方达（589130）净流入318.8万元

下一篇：资金榜丨居同类基金首位！半导体设备ETF（159516）净流入2.05亿元

新微半导体申请半导体工艺方法及结构专利，提高曝光工艺得到的图形精度

相关内容

热门资讯