武汉新芯申请半导体装置及其制造方法专利，实现光电探测器与波导的集成
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2026-06-24 13:27:17
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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN122269850A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，所述SOI衬底包括探测器区和波导区；刻蚀所述半导体层，使得所述探测器区的半导体层高度高于所述波导区的半导体层高度；形成第一波导于所述波导区的半导体层中；形成绝缘介质层和第二波导，所述绝缘介质层覆盖所述半导体层，所述第二波导形成于所述第一波导上方的所述绝缘介质层中；形成半导体吸收层于所述探测器区的所述半导体层上的所述绝缘介质层中。本发明的技术方案能够实现光电探测器与波导的集成。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目232次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1875条，此外企业还拥有行政许可109个。
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来源：市场资讯
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