苏州集泰申请硅电容器立体结构电极制造方法专利，有利于介质层的均匀沉积
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2026-02-17 11:40:41
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国家知识产权局信息显示，苏州集泰信息科技有限公司申请一项名为“一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器”的专利，公开号CN121531727A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器，属于硅电容器制造技术领域。包括：对选取的绝缘衬底进行碳纳米管的图形化转移，得到第一层碳纳米管结构；通过原子层沉积工艺在第一层碳纳米管结构上沉积第一层氧化铝介质层；在第一层氧化铝介质层表面制作第二层碳纳米管结构，第二层碳纳米管结构的位置与第一层碳纳米管结构相错设置；在第二层碳纳米管结构上沉积第二层氧化铝介质层；根据硅电容器的目标设计值，生成交替堆叠结构体，并去除该结构体中多余的氧化铝介质层，得到金属电极安装槽体；对该槽体填充金属材料，从而得到金属电极。本发明制造方式简便，结构平整，有利于介质层的均匀沉积，且不受刻蚀深宽比限制。
天眼查资料显示，苏州集泰信息科技有限公司，成立于2013年，位于苏州市，是一家以从事水利管理业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州集泰信息科技有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息12条。
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来源：市场资讯
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