南亚科技申请半导体元件及其制造方法专利，提升半导体元件的电性性能
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2026-01-12 20:08:58
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN121310992A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体元件，包括基板、单元结构、第一间隔结构、第二间隔结构、位元线结构、着陆垫、以及保护层。单元结构包含第一单元结构以及第二单元结构，并且位元线结构经由第一间隔结构与第一单元结构分隔，以及经由第二间隔结构与第二单元结构，其中所述第一间隔结构包含第一氮化物间隔层以及形成于所述第一氮化物间隔层中的第一气隙，其中保护层中的碳的重量百分比为4.2％至50％。还提供一种制造半导体元件的方法。半导体元件的保护层，可以提供较佳的蚀刻阻抗性，并对于着陆垫以及气隙表现出较佳的保护效果，从而提升半导体元件的电性性能。
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来源：市场资讯
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