长江存储申请三维存储器装置及其形成方法专利，包括第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构_电子电器

长江存储申请三维存储器装置及其形成方法专利，包括第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构

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2026-01-10 12:37:25

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器装置及其形成方法”的专利，公开号CN121310541A，申请日期为2021年6月。

专利摘要显示，在某些方面，一种三维（3D）存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第二半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括存储器单元阵列和与NAND存储器串阵列的源极接触的第一半导体层。第二半导体结构包括存储器单元阵列的包括第一晶体管的第一外围电路、以及与第一晶体管接触的第二半导体层。第三半导体结构包括存储器单元阵列的包括第二晶体管的第二外围电路、以及与第二晶体管接触的第三半导体层。第二半导体层在第一键合界面与第一外围电路之间。第三半导体层在第二键合界面与第二外围电路之间。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1440次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法三维投资半导体装置存储包括结构专利阵列电路存储器晶体管

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