中微半导体取得化学气相沉积设备专利，提高薄膜质量和生产效率_电子电器

中微半导体取得化学气相沉积设备专利，提高薄膜质量和生产效率

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2026-01-10 11:37:22

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国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司取得一项名为“化学气相沉积设备”的专利，授权公告号CN223780363U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种化学气相沉积设备，具有热退火功能，化学气相沉积设备包括：反应腔；底座，位于所述反应腔内部，所述底座内设置加热模块，用于将所述底座上承载的衬底加热至第一温度；工艺气体供应装置，位于所述反应腔外部，用于提供工艺气体；进气装置，与所述工艺气体供应装置连接，用于向所述反应腔通入气体；真空抽气口，设置在所述反应腔的底部，用于抽出所述反应腔内的气体；退火加热模块，位于所述反应腔的顶壁的外部，用于将所述衬底辐射加热至大于所述第一温度的第二温度。本实用新型可以实现在一台设备中对衬底进行薄膜沉积以及热退火，提高薄膜质量和生产效率。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目75次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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