中芯国际申请存储器结构及其形成方法专利，提高存储器结构的性能
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN122121160A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种存储器结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，具有垂直交叉排列的位线方向和字线方向，所述衬底包括沿位线方向平行排布的若干有源区以及位于有源区之间的隔离区；位于所述有源区上的若干相互分立的存储栅，所述存储栅横跨所述有源区和所述隔离区，且所述存储栅沿位线方向平行排布；位于所述衬底上的若干金属共源端，且所述金属共源端位于相邻所述存储栅之间的衬底上。所述存储器结构中的金属共源端位于相邻所述存储栅之间的衬底上，相较于现有技术中的位于衬底内的共源端，本发明的金属共源端能够有效减小共源端电阻，避免由于共源端电阻增大会导致不同位线之间擦写读的效率差异变大的问题，进而提高存储器结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可231个。
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，财产线索方面有商标信息227条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可480个。
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来源：市场资讯