苏州龙驰半导体科技申请一种半导体结构的形成方法专利，可使背孔剥离工艺窗口能力得到提升
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2026-05-30 10:42:00
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国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN122121563A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括，提供SiC衬底，并在衬底的背面形成光刻胶图形。通过第一蒸镀工艺在衬底的背面和光刻胶图形上形成掩膜层。去除光刻胶图形及覆盖于光刻胶图形上的掩膜层，保留的掩膜层内具有掩膜窗口，掩膜窗口对应于衬底的待成孔区域。沿掩膜层的掩膜窗口，刻蚀衬底的待成孔区域，并在衬底中形成背孔。通过上述设置，可使背孔剥离工艺窗口能力得到提升的同时，工艺步骤得以简化。
天眼查资料显示，苏州龙驰半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本19634.4449万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州龙驰半导体科技有限公司参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息24条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可33个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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