西部数据申请利用硅基自旋到电荷或电荷到自旋转换层的磁器件专利，可生成性能更好的、可定制的、热稳定的读头
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2026-05-26 15:42:38
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国家知识产权局信息显示，西部数据技术公司申请一项名为“利用硅基自旋到电荷或电荷到自旋转换层的磁器件”的专利，公开号CN122094400A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及利用硅基自旋到电荷或电荷到自旋转换层的磁器件。具有包括非晶材料(例如，FeSi或CoSi)的自旋到电荷或电荷到自旋感测层的读头省略了对结晶晶种层的需要。与许多其他材料候选物(例如，BiSb、YBiPt)不同，非晶感测层不需要结晶晶种层用于生长，并且仍然表现出足够的信号。由于不再需要晶种层用于生长，因此消除了由晶种层进行的信号分流，并且可更容易地设计具有底部结构和顶部结构的读头。此外，FeSi和CoSi具有相比于用于感测层的大多数材料候选物更高的热稳定性。因此，非晶感测层(诸如FeSi或CoSi)更适合于经受读头的退火过程。因此，在感测层中使用FeSi或CoSi会生成性能更好的、可定制的、热稳定的读头。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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