中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，能够提高半导体结构的性能_电子电器

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，能够提高半导体结构的性能

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2026-01-03 16:09:18

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121262876A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括器件区和位于器件区之间的隔断区；沟道凸起部，位于器件区的衬底上；绝缘凸起部，位于隔断区的衬底上；隔离结构，位于沟道凸起部和绝缘凸起部的侧部的衬底上，隔离结构的顶部低于沟道凸起部和绝缘凸起部的顶部，且覆盖沟道凸起部的部分侧壁和绝缘凸起部的部分侧壁；衬垫层，位于隔离结构和沟道凸起部之间、以及隔离结构和绝缘凸起部之间。采用上述技术方案，隔离结构和绝缘凸起部间通过衬垫层相隔离，能够降低因隔离结构和绝缘凸起部之间的应力差异而导致沟道凸起部发生弯曲的概率，因而能够提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目128次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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