晶合集成获得发明专利授权：“半导体测试结构及保护MOS管的选取方法”_电子电器

晶合集成获得发明专利授权：“半导体测试结构及保护MOS管的选取方法”

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2026-05-16 18:18:16

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体测试结构及保护MOS管的选取方法”，专利申请号为CN202610122111.2，授权日为2026年5月15日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体测试结构及保护MOS管的选取方法，属于半导体技术领域，包括两个电阻、两个焊盘及保护MOS管，两个焊盘接收不同的电压，两个电阻串联后两端分别连接一个焊盘，保护MOS管的漏极连接在两个电阻之间，保护MOS管的源极和栅极均接地；在第一预定温度范围内，保护MOS管上的电流至少小于电阻上的电流的5%，在第二预定温度范围内，保护MOS管上的电流为电阻上的电流的70%~130%，第二预定温度范围的最小值大于第一预定温度范围的最大值。本申请在较小的温度下，保护MOS管不会影响电阻的正常测试，在较大的温度下，保护MOS管可以对电阻上的电流进行分流，避免电阻因过温而被烧伤，节约了成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权201个，较去年同期增加了47.79%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1653条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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