惠存半导体申请闪存芯片老化测试方法专利，实现对闪存芯片的精准老化测试_电子电器

惠存半导体申请闪存芯片老化测试方法专利，实现对闪存芯片的精准老化测试

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2025-12-30 21:08:38

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国家知识产权局信息显示，深圳市惠存半导体有限公司申请一项名为“闪存芯片老化测试方法、装置、设备及介质”的专利，公开号CN121237165A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开一种闪存芯片老化测试方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取闪存芯片的第一测试用例；控制闪存芯片执行第一测试用例，得到第一执行时长；第一执行时长为执行第一测试用例的总时长；根据第一执行时长和第一测试用例确定第一平均读取速率；获取闪存芯片的第一已使用时长；确定与第一已使用时长对应的第二平均读取速率；在第一平均读取速率大于第二平均读取速率时，确定闪存芯片老化正常；在第一平均读取速率小于或等于第二平均读取速率时，确定第一平均读取速率与第二平均读取速率之间的第一偏离度，在第一偏离度大于预设阈值时，确定闪存芯片老化异常。采用本申请实施例可以对闪存芯片实现精准老化测试。

天眼查资料显示，深圳市惠存半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市惠存半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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