半导体

拜正半导体申请高阶温度补偿带隙基准电路专利,提高基准电压精度

上海拜正半导体有限公司申请一项名为“一种高阶温度补偿带隙基准电路”的专利,公开号CN121680559A,申请日期为2025年12月。 专利摘要显示,本申请公开...

昆山微容电子申请安规陶瓷电容器耐压电容测试分析系统专利,为电容器质量测试提供高可信度的数据支撑

国家知识产权局信息显示,昆山微容电子企业有限公司申请一项名为“一种安规陶瓷电容器耐压电容测试分析系统”的专利,公开号CN121679245A,申请日期为2025...

股票行情快报:联合光电(300691)3月19日主力资金净卖出582.07万元

证券之星消息,截至2026年3月19日收盘,联合光电(300691)报收于17.06元,下跌1.61%,换手率1.89%,成交量4.16万手,成交额7135.5...

四方光电申请衰荡腔可调的腔镜端盖专利,实现腔端镜的高稳定俯仰微调

国家知识产权局信息显示,武汉理工大学、四方光电(武汉)仪器有限公司申请一项名为“一种衰荡腔可调的腔镜端盖”的专利,公开号CN121679847A,申请日期为20...

三星人寿保险将减持1.3万亿韩元三星电子股份

据路透社3月19日报道, 三星人寿保险(Samsung Life,股票代码:032830.KS)周四在一份公司文件中表示,公司将减持价值1.3万亿韩元(约合8....

商络电子:3月18日董事沙宏志减持股份合计127.4万股

证券之星消息,根据3月19日市场公开信息、上市公司公告及交易所披露数据整理,商络电子(300975)最新董监高及相关人员股份变动情况:2026年3月18日公司董...

南亚科技申请制造半导体元件的方法专利,可以更有效地形成具有较低电阻率的半导体元件

国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体元件的方法”的专利,公开号CN121693120A,申请日期为2024年11月。 专利摘要显...

中证500股指期货(IC)主力合约日内跌超2%,现报7914.0点

每经AI快讯,3月19日,中证500股指期货(IC)主力合约日内跌超2%,现报7914.0点。 每日经济新闻

奇景光电(HIMX.US)3月18日收盘报9.08美元/股,涨0.22%

截至2026年3月18日(美国东部时间)收盘,奇景光电(HIMX.US)报收于9.08美元/股,上涨0.22%,成交量486.56万股。 机构评级方面,共有2家...

股票行情快报:健信超导(688805)3月18日主力资金净卖出2007.63万元

证券之星消息,截至2026年3月18日收盘,健信超导(688805)报收于49.22元,上涨2.07%,换手率16.93%,成交量5.34万手,成交额2.57亿...

三星电子计划今年生产SiC功率半导体样品

近期,媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司已订购原材料和组件。 三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET, ...

江苏第三代半导体研究院申请大尺寸半导体晶圆及其制备方法专利,得到结构连续、晶向匹配、热性能优异的半导体晶圆

国家知识产权局信息显示,江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用”的专利,公开号CN121693117A,申请日期为2...

大胜达:拟5.5亿元投资高性能图形处理器公司芯瞳半导体

大胜达(603687.SH)公告称,公司拟通过股权受让及增资方式合计投资5.5亿元取得芯瞳半导体技术(厦门)有限公司22.9831%的股权。其中,以2786万元...

飞骧科技申请低噪声放大器专利,优化线性度和减小面积降低芯片成本

国家知识产权局信息显示,深圳飞骧科技股份有限公司申请一项名为“低噪声放大器”的专利,公开号CN121690086A,申请日期为2026年2月。 专利摘要显示,本...

英伟达Feynman架构引爆,PCB风口全面爆发!

3月18日,PCB概念快速走强,金禄电子、云汉芯城涨超10%,澳弘电子、奥士康、广合科技涨停,鹏鼎控股、强瑞技术、大族数控、金安国纪涨超6%。 消息面上,英伟...

【朝医科普】一针调控过敏“开关”,让鼻子重新闻到花香

春天,本是踏青赏花、万物复苏的美好时节。但对过敏性鼻炎患者而言,却是一场每年如期而至的“健康考验”。杨柳飞絮、百花齐放之际,有这样一群人:包里常年备着纸巾,办公...

永创通信取得组合式无源滤波器专利,防止线路滑落

国家知识产权局信息显示,苏州永创通信技术有限公司取得一项名为“一种组合式无源滤波器”的专利,授权公告号CN224006694U,申请日期为2025年3月。 专利...

长园深瑞申请双电源并联均流电路专利,有效降低功率损耗

国家知识产权局信息显示,长园深瑞继保自动化有限公司申请一项名为“双电源并联均流电路、方法、终端设备及计算机程序产品”的专利,公开号CN121688781A,申请...

新三能电子取得低压电容器保护结构专利,避免造成空间的浪费

国家知识产权局信息显示,南通新三能电子有限公司取得一项名为“一种低压电容器保护结构”的专利,授权公告号CN224006392U,申请日期为2025年3月。 专利...

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三星电子计划今年生产SiC功率... 近期,媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司已订购原材料和组件。...
比亚迪半导体取得消除黑电平方法... 国家知识产权局信息显示,比亚迪半导体股份有限公司取得一项名为“消除黑电平的方法、电子设备及可读存储介...
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