半导体
南芯高集成电源主控芯片SC3107M助力量产，航嘉65W氮化镓充电器拆解
前言 航嘉作为深耕电源领域多年的老牌厂商，近年来在氮化镓快充市场持续发力，最近又推出了一款65W双USB-C口氮化镓快充充电器。产品采用纯白色亮面机身设计，搭...
股票行情快报：南都电源（300068）3月19日主力资金净买入2515.80万元
证券之星消息，截至2026年3月19日收盘，南都电源(300068)报收于15.46元，下跌0.77%，换手率3.79%，成交量32.3万手，成交额5.02亿元...
新雷蒙物联申请基于智能分层直流母线调度的户用光储系统专利，保障了直流母线电压的稳定性
国家知识产权局信息显示，苏州新雷蒙物联科技有限公司申请一项名为“一种基于智能分层直流母线调度的户用光储系统”的专利，公开号CN121688783A，申请日期为2...
TCL申请分区管理方法专利，实现SoC模块和原生分区的解耦
国家知识产权局信息显示，深圳TCL新技术有限公司申请一项名为“分区管理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质”的专利，公开号CN121680958A，申请日期...
第三代半导体板块3月19日跌1.9%，派瑞股份领跌，主力资金净流出54.34亿元
证券之星消息，3月19日第三代半导体板块较上一交易日下跌1.9%，派瑞股份领跌。当日上证指数报收于4006.55，下跌1.39%。深证成指报收于13901.57...
江苏晋誉达半导体申请一种晶圆平行度调整方法专利，平行度调节快速、方便
国家知识产权局信息显示，江苏晋誉达半导体股份有限公司申请一项名为“一种晶圆平行度调整方法”的专利，公开号CN121693075A，申请日期为2025年11月。 ...
拜正半导体申请高阶温度补偿带隙基准电路专利，提高基准电压精度
上海拜正半导体有限公司申请一项名为“一种高阶温度补偿带隙基准电路”的专利，公开号CN121680559A，申请日期为2025年12月。 专利摘要显示，本申请公开...
昆山微容电子申请安规陶瓷电容器耐压电容测试分析系统专利，为电容器质量测试提供高可信度的数据支撑
国家知识产权局信息显示，昆山微容电子企业有限公司申请一项名为“一种安规陶瓷电容器耐压电容测试分析系统”的专利，公开号CN121679245A，申请日期为2025...
股票行情快报：联合光电（300691）3月19日主力资金净卖出582.07万元
证券之星消息，截至2026年3月19日收盘，联合光电(300691)报收于17.06元，下跌1.61%，换手率1.89%，成交量4.16万手，成交额7135.5...
四方光电申请衰荡腔可调的腔镜端盖专利，实现腔端镜的高稳定俯仰微调
国家知识产权局信息显示，武汉理工大学、四方光电（武汉）仪器有限公司申请一项名为“一种衰荡腔可调的腔镜端盖”的专利，公开号CN121679847A，申请日期为20...
三星人寿保险将减持1.3万亿韩元三星电子股份
据路透社3月19日报道， 三星人寿保险（Samsung Life，股票代码：032830.KS）周四在一份公司文件中表示，公司将减持价值1.3万亿韩元（约合8....
商络电子：3月18日董事沙宏志减持股份合计127.4万股
证券之星消息，根据3月19日市场公开信息、上市公司公告及交易所披露数据整理，商络电子（300975）最新董监高及相关人员股份变动情况：2026年3月18日公司董...
南亚科技申请制造半导体元件的方法专利，可以更有效地形成具有较低电阻率的半导体元件
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体元件的方法”的专利，公开号CN121693120A，申请日期为2024年11月。 专利摘要显...
中证500股指期货(IC)主力合约日内跌超2%，现报7914.0点
每经AI快讯，3月19日，中证500股指期货(IC)主力合约日内跌超2%，现报7914.0点。 每日经济新闻
奇景光电（HIMX.US）3月18日收盘报9.08美元/股，涨0.22%
截至2026年3月18日（美国东部时间）收盘，奇景光电(HIMX.US)报收于9.08美元/股，上涨0.22%，成交量486.56万股。 机构评级方面，共有2家...
股票行情快报：健信超导（688805）3月18日主力资金净卖出2007.63万元
证券之星消息，截至2026年3月18日收盘，健信超导(688805)报收于49.22元，上涨2.07%，换手率16.93%，成交量5.34万手，成交额2.57亿...
三星电子计划今年生产SiC功率半导体样品
近期，媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司已订购原材料和组件。 三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET， ...
江苏第三代半导体研究院申请大尺寸半导体晶圆及其制备方法专利，得到结构连续、晶向匹配、热性能优异的半导体晶圆
国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121693117A，申请日期为2...
大胜达：拟5.5亿元投资高性能图形处理器公司芯瞳半导体
大胜达(603687.SH)公告称，公司拟通过股权受让及增资方式合计投资5.5亿元取得芯瞳半导体技术（厦门）有限公司22.9831%的股权。其中，以2786万元...
飞骧科技申请低噪声放大器专利，优化线性度和减小面积降低芯片成本
国家知识产权局信息显示，深圳飞骧科技股份有限公司申请一项名为“低噪声放大器”的专利，公开号CN121690086A，申请日期为2026年2月。 专利摘要显示，本...