华为申请雪崩光电二极管专利，改善波导型雪崩光电二极管中噪声和暗电流较大的问题_半导体

华为申请雪崩光电二极管专利，改善波导型雪崩光电二极管中噪声和暗电流较大的问题

创始人

2026-05-08 22:27:23

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种雪崩光电二极管、光电探测芯片及光通信设备”的专利，公开号CN122002917A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种雪崩光电二极管、光电探测芯片及光通信设备，涉及光电转换器件技术领域，用于改善波导型雪崩光电二极管中噪声和暗电流较大的问题。该雪崩光电二极管包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括在第一方向上排布的波导部分和器件部分；在与第一方向垂直的第二方向上，器件部分包括依次排布的第一欧姆接触区、第一电荷区、第一倍增区、第二电荷区和第二欧姆接触区；第一电荷区、第二电荷区和第一欧姆接触区均为P型掺杂区，第二欧姆接触区为N型掺杂区，第一倍增区为本征区。第二半导体层设置在第一半导体层的一侧，并与第一电荷区接触；用于吸收入射光产生光生载流子。上述雪崩光电二极管可以应用于光通信。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目41920次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1721个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业光通信投资较大的华为噪声雪崩接触区专利二极管电荷区光电倍增区

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