研发半导体核心材料厦企取得新突破_半导体

研发半导体核心材料厦企取得新突破

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2025-12-26 08:07:49

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厦企在SiC（碳化硅）领域，再次取得重磅技术突破。12月23日，瀚天天成正式宣布，其在翔安区的碳化硅半导体产业园，成功开发出全球首款12英寸（1英寸=2.54厘米）高质量碳化硅外延晶片。

相较于当前主流的150毫米（四舍五入后为6英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的200毫米（四舍五入后为8英寸）产品，300毫米（四舍五入后为12英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升——较6英寸晶片提升至4.4倍，较8英寸晶片提升至2.3倍。

作为第三代半导体核心材料，碳化硅凭借高频、高压、高温的优异特性，成为新能源汽车、光伏发电、AI电源等战略性新兴产业的关键支撑。此前，瀚天天成不仅率先实现3英寸至8英寸全尺寸碳化硅外延晶片商业化供应，更主导制定了全球首个碳化硅外延晶片国际SEMI标准。此次12英寸产品的推出，进一步确立了其在行业的技术定义权。

瀚天天成也是我市第三代半导体产业细分领域的领头羊。近年来，我市以火炬高新区、海沧集成电路产业园等为核心载体，构建起覆盖设计、制造、封测、设备材料的全链条产业布局。目前，我市已形成龙头引领、协同发展的产业集群，士兰微8英寸碳化硅功率器件产线加速建设，通富微电先进封测项目即将投产，与瀚天天成形成上下游联动，构建起国产化协同的产业生态。（记者李晓平）

厦企产业化产品器件材料核心外延领域导体碳化硅火炬高新区通富微电晶片

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