研发半导体核心材料 厦企取得新突破
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2025-12-26 08:07:49
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厦企在SiC（碳化硅）领域，再次取得重磅技术突破。12月23日，瀚天天成正式宣布，其在翔安区的碳化硅半导体产业园，成功开发出全球首款12英寸（1英寸=2.54厘米）高质量碳化硅外延晶片。
相较于当前主流的150毫米（四舍五入后为6英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的200毫米（四舍五入后为8英寸）产品，300毫米（四舍五入后为12英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升——较6英寸晶片提升至4.4倍，较8英寸晶片提升至2.3倍。
作为第三代半导体核心材料，碳化硅凭借高频、高压、高温的优异特性，成为新能源汽车、光伏发电、AI电源等战略性新兴产业的关键支撑。此前，瀚天天成不仅率先实现3英寸至8英寸全尺寸碳化硅外延晶片商业化供应，更主导制定了全球首个碳化硅外延晶片国际SEMI标准。此次12英寸产品的推出，进一步确立了其在行业的技术定义权。
瀚天天成也是我市第三代半导体产业细分领域的领头羊。近年来，我市以火炬高新区、海沧集成电路产业园等为核心载体，构建起覆盖设计、制造、封测、设备材料的全链条产业布局。目前，我市已形成龙头引领、协同发展的产业集群，士兰微8英寸碳化硅功率器件产线加速建设，通富微电先进封测项目即将投产，与瀚天天成形成上下游联动，构建起国产化协同的产业生态。（记者 李晓平）
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