力创半导体申请一种功率模块封装器件专利，克服现有封装结构热阻偏大、散热性能差的问题_半导体

力创半导体申请一种功率模块封装器件专利，克服现有封装结构热阻偏大、散热性能差的问题

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2025-12-06 17:36:56

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国家知识产权局信息显示，深圳市力创半导体有限公司申请一项名为“一种功率模块封装器件”的专利，公开号CN121076020A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种功率模块封装器件，包括：第一散热金属外壳、第二散热金属外壳和位于所述第一散热金属外壳和第二散热金属外壳之间的功率半导体组件，所述功率半导体组件至少包括第一功率半导体组件，所述第一功率半导体组件包括第一功率芯片组以及第一绝缘散热基板；所述第一绝缘散热基板的第一侧与所述第一功率芯片组的顶面连接，所述第一绝缘散热基板的第二侧与所述第一散热金属外壳相连接；所述第一功率芯片组的底面与所述第二散热金属外壳连接。本发明通过所述第一、第二散热金属外壳实现对芯片组的双面散热，克服了现有封装结构的热阻偏大、散热性能差的问题，更能满足高功率模块散热的需求。

天眼查资料显示，深圳市力创半导体有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本296.0784万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市力创半导体有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可3个。

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来源：市场资讯

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