国家知识产权局信息显示,超威半导体公司取得一项名为“将高速缓存线从共用存储器页面冲洗到存储器”的专利,授权公告号CN 111480151 B,申请日期为2018年9月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯
上一篇:华中科大与国创科光电申请电流体修复缺陷点位的打印规划方法及系统专利,修复效率高
下一篇:微雪电子取得一种电子墨水屏显示系统及设备专利,断电也可显示