华中科大与国创科光电申请电流体修复缺陷点位的打印规划方法及系统专利，修复效率高_半导体

华中科大与国创科光电申请电流体修复缺陷点位的打印规划方法及系统专利，修复效率高

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2025-12-03 14:36:11

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国家知识产权局信息显示，华中科技大学、广东国创科光电装备有限公司申请一项名为“一种用于电流体修复缺陷点位的打印规划方法及系统”的专利，公开号CN121043514A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本发明属于电流体喷印制造相关技术领域，具体涉及一种用于电流体修复缺陷点位的打印规划方法及系统，包括：获取缺陷基板的缺陷点位信息；调整喷头喷嘴和墨水的组合，使得液滴沉积直径满足所有缺陷点大小；试打印构建预设打印参数组合取值与液滴沉积直径的数据对集合；在数据对集合中为每个缺陷点位寻找液滴沉积直径满足预设偏差范围的所有候选的预设打印参数组合取值；以喷头移动路径成本和各预设打印参数调整成本的加权和最小为目标，将每个缺陷点位所有候选预设打印参数组合取值作为该缺陷点位打印参数取值的约束，将每个缺陷点位只打印修复一次作为喷头移动路径规划的约束，求解喷头移动路径和每个缺陷点位打印参数取值。本方法修复效率高。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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