积塔半导体取得屏蔽栅沟槽型场效应晶体管制备方法专利
创始人
2025-12-02 14:09:53
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国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司取得一项名为“屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备方法”的专利,授权公告号CN114944339B,申请日期为2022年4月。

天眼查资料显示,上海积塔半导体有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析,上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目1913次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息1284条,此外企业还拥有行政许可200个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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